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LND150N3-G
| 1+ |
￥10.93631
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| 10+ |
￥9.31588
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| 30+ |
￥8.426824
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| 100+ |
￥7.426048
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| 500+ |
￥6.660962
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| 1000+ |
￥6.4582
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| 数量 |
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详情
500V 1mA 30mW 1000Ω@0V,0.5mA 3V@100nA 1 N-Channel TO-92-3 MOSFETs ROHS
属性 |
参数值 |
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漏源电压(Vdss) |
500V |
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连续漏极电流(Id) |
30mA |
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功率(Pd) |
740mW |
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导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) |
1kΩ@500uA,0V |
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类型 |
1个N沟道 |
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输入电容(Ciss@Vds) |
10pF@25V |
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工作温度 |
-55℃~+150℃@(Tj) |
