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RSM1701K0W
| 1+ |
￥15.63491
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| 10+ |
￥13.77443
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| 30+ |
￥12.61752
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| 90+ |
￥11.418905
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| 450+ |
￥10.882725
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| 900+ |
￥10.651495
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| 数量 |
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详情
TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
属性 |
参数值 |
|
RDS(on)-导通电阻(20V) |
1000mΩ |
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Vgs(th)-漏源阈值电压 |
3V |
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沟道类型 |
1个N沟道 |
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Pd-功耗 |
69W |
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Id-漏极电流(25℃) |
5A |
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Vds-漏源击穿电压 |
1700V |
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Crss-反向传输电容 |
1.6pF |
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Ciss-输入电容 |
186pF |
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Qg-栅极电荷 |
21.8nC |
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工作温度 |
-40℃~+150℃ |
