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GC2M0160120K
| 1+ |
￥22.02727
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| 10+ |
￥19.154375
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| 30+ |
￥17.45017
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| 90+ |
￥15.724495
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| 450+ |
￥14.931435
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| 900+ |
￥14.566825
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| 数量 |
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详情
TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
属性 |
参数值 |
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RDS(on)-导通电阻(15V) |
- |
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工作温度 |
- |
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RDS(on)-导通电阻(18V) |
- |
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配置 |
- |
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RDS(on)-导通电阻(20V) |
- |
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Vgs(th)-漏源阈值电压 |
- |
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沟道类型 |
1个N沟道 |
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封装类型 |
- |
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Pd-功耗 |
125W |
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Id-漏极电流(25℃) |
18A |
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Vds-漏源击穿电压 |
1200V |
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Crss-反向传输电容 |
- |
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Ciss-输入电容 |
- |
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Qg-栅极电荷 |
- |
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RDS(on)-导通电阻(10V) |
- |
