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HC2M1000170D
| 1+ |
￥18.87593
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| 10+ |
￥16.485635
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| 30+ |
￥14.738395
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| 90+ |
￥13.30228
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| 510+ |
￥12.63766
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| 990+ |
￥12.33765
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| 数量 |
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详情
TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
属性 |
参数值 |
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Pd-功耗 |
69W |
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Id-漏极电流(25℃) |
5A |
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Vds-漏源击穿电压 |
1700V |
