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KN3M65017D
| 1+ |
￥19.605055
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| 10+ |
￥16.968235
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| 30+ |
￥15.317515
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| 90+ |
￥13.62376
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| 510+ |
￥12.86262
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| 990+ |
￥12.53069
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| 数量 |
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详情
TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
属性 |
参数值 |
|
RDS(on)-导通电阻(15V) |
- |
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工作温度 |
-55℃~+150℃ |
|
RDS(on)-导通电阻(18V) |
- |
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配置 |
- |
|
RDS(on)-导通电阻(20V) |
650mΩ |
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沟道类型 |
1个N沟道 |
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Vgs(th)-漏源阈值电压 |
2.6V |
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Pd-功耗 |
62W |
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封装类型 |
单管 |
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Id-漏极电流(25℃) |
7A |
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Vds-漏源击穿电压 |
1700V |
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Crss-反向传输电容 |
1.8pF |
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Ciss-输入电容 |
194pF |
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Qg-栅极电荷 |
23nC |
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RDS(on)-导通电阻(10V) |
- |
