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CI7N170SM
| 1+ |
￥24.78569
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| 10+ |
￥22.19675
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| 30+ |
￥16.02935
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| 90+ |
￥14.47173
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| 510+ |
￥13.755715
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| 1020+ |
￥13.429295
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| 数量 |
|
详情
TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
属性 |
参数值 |
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沟道类型 |
1个N沟道 |
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Pd-功耗 |
62W |
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Id-漏极电流(25℃) |
7A |
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Vds-漏源击穿电压 |
1700V |
