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GC2M1000170D
| 1+ |
￥14.063325
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| 10+ |
￥12.819585
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| 30+ |
￥12.03764
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| 90+ |
￥11.243915
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| 600+ |
￥10.87997
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| 900+ |
￥10.729965
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| 数量 |
|
详情
TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
属性 |
参数值 |
|
RDS(on)-导通电阻(15V) |
- |
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工作温度 |
-55℃~+150℃ |
|
RDS(on)-导通电阻(18V) |
- |
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配置 |
- |
|
RDS(on)-导通电阻(20V) |
0.8Ω |
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沟道类型 |
1个N沟道 |
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Vgs(th)-漏源阈值电压 |
2.8V |
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封装类型 |
单管 |
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Pd-功耗 |
69W |
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Id-漏极电流(25℃) |
5A |
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Vds-漏源击穿电压 |
1700V |
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Crss-反向传输电容 |
2.2pF |
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Ciss-输入电容 |
215pF |
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Qg-栅极电荷 |
22nC |
|
RDS(on)-导通电阻(10V) |
- |
