HC2M0080120K

品牌 : HXY MOSFET(华轩阳电子)

产品种类 : 碳化硅场效应管(MOSFET)

封装 : TO-247-4L

库存数量 : 5

包装数量 : 30

毛重 : 0.0176 (KG)

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TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

属性

参数值

Id-漏极电流(25℃)

36A

Vds-漏源击穿电压

1200V

数据手册

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