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IMBF170R1K0M1XTMA1
| 1+ |
$3.35635
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| 10+ |
$3.190575
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| 30+ |
$3.092345
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| 100+ |
$2.683275
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| 500+ |
$2.637865
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| 1000+ |
$2.617345
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| 数量 |
|
详情
TO-263-7-13 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
属性 |
参数值 |
|
RDS(on)-导通电阻(15V) |
809mΩ |
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工作温度 |
-55℃~+175℃ |
|
RDS(on)-导通电阻(18V) |
- |
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配置 |
- |
|
RDS(on)-导通电阻(20V) |
- |
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Vgs(th)-漏源阈值电压 |
4.5V |
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沟道类型 |
1个N沟道 |
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封装类型 |
单管 |
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Pd-功耗 |
68W |
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Id-漏极电流(25℃) |
5.2A |
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Vds-漏源击穿电压 |
1700V |
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Crss-反向传输电容 |
0.7pF |
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Ciss-输入电容 |
275pF |
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Qg-栅极电荷 |
5nC |
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RDS(on)-导通电阻(10V) |
- |
